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NGaNHEMT相关论文
新型复合沟道Al_(0.3)Ga_(0.7)N/Al_(0.05)Ga_(0.95)N/GaN HEMT低相位噪声微波单片集成压控振荡器(英文)
设计并研制了一种新型复合沟道Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN HEMT(CC-HEMT)微波单片集成压控振荡器(VCO),且测试了电路的性能。C......
期刊
Al
Ga
N/Al
N/GaN HEMT
压控振荡器
变容二极管
沟道
相位噪声
低相位噪声
功率附加效率
F离子注入新型Al_(0.25)Ga_(0.75)N/GaN HEMT器件耐压分析
为了缓解AlGaN/GaNhighelectronmobilitytransistors(HEMT)器件n型GaN缓冲层高的泄漏电流,本文提出了具有氟离子注入新型Al0.25Ga0.75N/Ga......
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AlGaN/GaN
HEMT
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